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双向可控硅的黄金规则

时间:2022-04-25 582 次浏览

规则1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT,直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。
规则2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅)。
规则3.设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。规则4.为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。
规则5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。
规则6.假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。
规则7.选用好的门极触发电路,避开3象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
规则8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感,或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。
规则9.器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
规则10.为了长期可靠工作,应保证Rthj-a足够低,维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。